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Transistors MOSFET i IGBT: Tipus, Característiques i Ús

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Transistors MOSFET i IGBT: Tipus, Característiques i Ús
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Yissel Carolina Padilla Gutierrez

@isselarolinaadillautierrez_qvew

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Los transistores MOSFET son dispositivos semiconductores fundamentales en la electrónica moderna. Estos componentes se utilizan ampliamente en circuitos integrados y aplicaciones de potencia. Existen varios tipos de MOSFET, incluyendo los de empobrecimiento y enriquecimiento, tanto de canal N como de canal P.

• Los MOSFET pueden tener 3 o 4 terminales: puerta (G), drenador (D), fuente (S) y, en algunos casos, sustrato (B).

• Se clasifican según su modo de funcionamiento: empobrecimiento o enriquecimiento.

• Existen variantes con múltiples puertas y configuraciones especiales para aplicaciones específicas.

• Los MOSFET se comparan frecuentemente con los IGBT en aplicaciones de potencia.

23/6/2024

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TRANSISTORES
MOSTET I IGHT
Empobrecimiento
Tipo empobrea
miento (depletion)
3 terminales
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empobrecimiento
Tipo, enriquecimiento

Ver

Configuraciones avanzadas de MOSFET y otros dispositivos semiconductores

Esta página continúa explorando configuraciones más complejas de MOSFET y presenta otros dispositivos semiconductores relacionados.

Se muestran esquemas de:

  1. MOSFET de empobrecimiento de 2 puertas y 5 terminales
  2. MOSFET de enriquecimiento de 2 puertas y 5 terminales
  3. MOSFET de enriquecimiento de 4 terminales
  4. MOSFET de enriquecimiento de doble puerta

Definition: Un MOSFET de doble puerta es un dispositivo que tiene dos puertas de control independientes, lo que permite un mayor control sobre el flujo de corriente y puede mejorar el rendimiento en ciertas aplicaciones.

Además de los MOSFET, se presentan otros dispositivos semiconductores:

  • Transistores bipolares NPN y PNP
  • Transistor uniunión (UJT)

Vocabulary: UJT - Transistor Uniunión, un dispositivo semiconductor de tres terminales utilizado principalmente en circuitos de temporización y osciladores.

Highlight: Los transistores bipolares y los MOSFET tienen aplicaciones diferentes pero complementarias en la electrónica. Los MOSFET son preferidos en circuitos digitales y de conmutación de alta frecuencia, mientras que los transistores bipolares se utilizan más en amplificación analógica.

Se incluyen también variaciones en la representación de estos dispositivos, como transistores NPN con el colector unido a la cubierta y símbolos alternativos para UJT.

Example: Un transistor NPN se puede utilizar en un circuito amplificador de audio, mientras que un MOSFET de potencia podría emplearse en el control de motores eléctricos de alta potencia.

Esta diversidad de dispositivos semiconductores demuestra la riqueza y complejidad de la electrónica moderna, donde cada tipo de transistor tiene sus propias características y aplicaciones óptimas.

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Tipo empobrea
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Tipo, enriquecimiento

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Tipos de MOSFET y sus configuraciones

Esta página presenta una visión general de los diferentes tipos de transistores MOSFET y sus configuraciones básicas. Se muestran esquemas de varios modelos, destacando sus características principales.

Vocabulary: MOSFET - Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor)

Los MOSFET de empobrecimiento y enriquecimiento se presentan en diversas configuraciones:

  1. MOSFET de empobrecimiento de 3 terminales
  2. MOSFET de enriquecimiento de 3 terminales con sustrato unido al surtidor
  3. MOSFET de empobrecimiento de 3 terminales con sustrato unido al surtidor
  4. MOSFET de enriquecimiento de 4 terminales
  5. MOSFET de empobrecimiento de 4 terminales

Highlight: La diferencia principal entre los MOSFET de empobrecimiento y enriquecimiento radica en su estado de conducción por defecto y cómo se controlan mediante la tensión de puerta.

Se muestran también variantes especiales como:

  • MOSFET de empobrecimiento de 2 puertas y 5 terminales
  • MOSFET de enriquecimiento de 2 puertas y 5 terminales

Example: Un MOSFET de enriquecimiento de canal N requiere una tensión positiva en la puerta para conducir, mientras que uno de empobrecimiento conduce sin tensión de puerta y se cierra al aplicar una tensión negativa.

¿No encuentras lo que buscas? Explora otros temas.

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Me encanta esta app [...] ¡¡¡Recomiendo Knowunity a todo el mundo!!! Pasé de un 2 a un 9 con él :D

Javi, usuario de iOS

La app es muy fácil de usar y está muy bien diseñada. Hasta ahora he encontrado todo lo que estaba buscando y he podido aprender mucho de las presentaciones.

Mari, usuario de iOS

Me encanta esta app ❤️, de hecho la uso cada vez que estudio.

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• Los MOSFET pueden tener 3 o 4 terminales: puerta (G), drenador (D), fuente (S) y, en algunos casos, sustrato (B).

• Se clasifican según su modo de funcionamiento: empobrecimiento o enriquecimiento.

• Existen variantes con múltiples puertas y configuraciones especiales para aplicaciones específicas.

• Los MOSFET se comparan frecuentemente con los IGBT en aplicaciones de potencia.

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Se muestran esquemas de:

  1. MOSFET de empobrecimiento de 2 puertas y 5 terminales
  2. MOSFET de enriquecimiento de 2 puertas y 5 terminales
  3. MOSFET de enriquecimiento de 4 terminales
  4. MOSFET de enriquecimiento de doble puerta

Definition: Un MOSFET de doble puerta es un dispositivo que tiene dos puertas de control independientes, lo que permite un mayor control sobre el flujo de corriente y puede mejorar el rendimiento en ciertas aplicaciones.

Además de los MOSFET, se presentan otros dispositivos semiconductores:

  • Transistores bipolares NPN y PNP
  • Transistor uniunión (UJT)

Vocabulary: UJT - Transistor Uniunión, un dispositivo semiconductor de tres terminales utilizado principalmente en circuitos de temporización y osciladores.

Highlight: Los transistores bipolares y los MOSFET tienen aplicaciones diferentes pero complementarias en la electrónica. Los MOSFET son preferidos en circuitos digitales y de conmutación de alta frecuencia, mientras que los transistores bipolares se utilizan más en amplificación analógica.

Se incluyen también variaciones en la representación de estos dispositivos, como transistores NPN con el colector unido a la cubierta y símbolos alternativos para UJT.

Example: Un transistor NPN se puede utilizar en un circuito amplificador de audio, mientras que un MOSFET de potencia podría emplearse en el control de motores eléctricos de alta potencia.

Esta diversidad de dispositivos semiconductores demuestra la riqueza y complejidad de la electrónica moderna, donde cada tipo de transistor tiene sus propias características y aplicaciones óptimas.

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Tipos de MOSFET y sus configuraciones

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Vocabulary: MOSFET - Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor)

Los MOSFET de empobrecimiento y enriquecimiento se presentan en diversas configuraciones:

  1. MOSFET de empobrecimiento de 3 terminales
  2. MOSFET de enriquecimiento de 3 terminales con sustrato unido al surtidor
  3. MOSFET de empobrecimiento de 3 terminales con sustrato unido al surtidor
  4. MOSFET de enriquecimiento de 4 terminales
  5. MOSFET de empobrecimiento de 4 terminales

Highlight: La diferencia principal entre los MOSFET de empobrecimiento y enriquecimiento radica en su estado de conducción por defecto y cómo se controlan mediante la tensión de puerta.

Se muestran también variantes especiales como:

  • MOSFET de empobrecimiento de 2 puertas y 5 terminales
  • MOSFET de enriquecimiento de 2 puertas y 5 terminales

Example: Un MOSFET de enriquecimiento de canal N requiere una tensión positiva en la puerta para conducir, mientras que uno de empobrecimiento conduce sin tensión de puerta y se cierra al aplicar una tensión negativa.

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